TC58BVG0S3HBAI6 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TC58BVG0S3HBAI6, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TC58BVG0S3HBAI6 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TC58BVG0S3HBAI6 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
TC58BVG0S3HBAI6
- Nomor bagian:
- TC58BVG0S3HBAI6
- Pabrikan:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Deskripsi:
- IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 22627 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- TC58BVG0S3HBAI6.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman: | 25ns |
| Tegangan - Pasokan: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Teknologi: | FLASH - NAND (SLC) |
| Paket Perangkat pemasok: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Seri: | Benand™ |
| Pengemasan: | Tray |
| Paket / Case: | 67-VFBGA |
| Nama lain: | TC58BVG0S3HBAI6JDH |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| memory Type: | Non-Volatile |
| Ukuran memori: | 1Gb (128M x 8) |
| Antarmuka Memori: | Parallel |
| Format Memori: | FLASH |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detil Deskripsi: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| Waktu akses: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk TC58BVG0S3HBAI6
Latest Berita
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0