SI7101DN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3
Nomor bagian:
SI7101DN-T1-GE3
Pabrikan:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deskripsi:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
23528 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
SI7101DN-T1-GE3.pdf

pengantar

SI7101DN-T1-GE3 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SI7101DN-T1-GE3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SI7101DN-T1-GE3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SI7101DN-T1-GE3 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:PowerPAK® 1212-8
Seri:TrenchFET®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:7.2 mOhm @ 15A, 10V
Power Disipasi (Max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:PowerPAK® 1212-8
Nama lain:SI7101DN-T1-GE3TR
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:32 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:3595pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:102nC @ 10V
FET Jenis:P-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):4.5V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):30V
Detil Deskripsi:P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar