RN218-2.2-02-3M3 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk RN218-2.2-02-3M3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk RN218-2.2-02-3M3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli RN218-2.2-02-3M3 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
RN218-2.2-02-3M3
- Nomor bagian:
- RN218-2.2-02-3M3
- Pabrikan:
- Schaffner EMC, Inc.
- Deskripsi:
- CMC 3.3MH 2.2A 2LN TH
- Jumlah stok:
- 58423 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- RN218-2.2-02-3M3.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan Penilaian - DC: | - |
| Tegangan Penilaian - AC: | 300V |
| Ukuran / Dimensi: | 0.709" L x 0.492" W (18.00mm x 12.50mm) |
| Seri: | RN |
| penilaian: | - |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | Vertical, 4 PC Pin |
| Nama lain: | 817-2307 817641 |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 100°C |
| Jumlah Baris: | 2 |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Induktansi @ Frekuensi: | 3.3mH @ 10kHz |
| Tinggi (Max): | 0.799" (20.30mm) |
| Jenis Filter: | Power Line |
| fitur: | - |
| Detil Deskripsi: | 3.3mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.2A DCR 100 mOhm (Typ) |
| DC Resistance (DCR) (Max): | 100 mOhm (Typ) |
| Kartu Tebal (mm): | 2.2A |
| persetujuan: | ENEC, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk RN218-2.2-02-3M3
Latest Berita
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh