ISC1812EBR82M tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk ISC1812EBR82M, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk ISC1812EBR82M melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli ISC1812EBR82M dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
ISC1812EBR82M
- Nomor bagian:
- ISC1812EBR82M
- Pabrikan:
- Dale / Vishay
- Deskripsi:
- FIXED IND 820NH 271MA 950 MOHM
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 25594 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- ISC1812EBR82M.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Mengetik: | Wirewound |
| Toleransi: | ±20% |
| Paket Perangkat pemasok: | 1812 |
| Ukuran / Dimensi: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| perisai: | Shielded |
| Seri: | ISC-1812 |
| penilaian: | - |
| Q @ Freq: | 30 @ 25.2MHz |
| Pengemasan: | Bulk |
| Paket / Case: | 1812 (4532 Metric) |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 125°C |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bahan - Inti: | Non-Magnetic |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktansi Frekuensi - Uji: | 25.2MHz |
| induktansi: | 820nH |
| Tinggi - Duduk (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Frekuensi - Self Resonant: | 165MHz |
| Detil Deskripsi: | 820nH Shielded Wirewound Inductor 271mA 950 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Perlawanan DC (DCR): | 950 mOhm Max |
| Peringkat saat ini: | 271mA |
| Saat ini - Saturation: | - |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk ISC1812EBR82M
Latest Berita
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar