IS43QR16256A-083RBLI tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IS43QR16256A-083RBLI, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IS43QR16256A-083RBLI melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IS43QR16256A-083RBLI dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IS43QR16256A-083RBLI
- Nomor bagian:
- IS43QR16256A-083RBLI
- Deskripsi:
- IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 33732 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IS43QR16256A-083RBLI.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman: | - |
| Tegangan - Pasokan: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Teknologi: | SDRAM - DDR4 |
| Paket Perangkat pemasok: | 96-BGA |
| Seri: | - |
| Pengemasan: | Tray |
| Paket / Case: | 96-BGA |
| Nama lain: | 706-1474 |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| memory Type: | Volatile |
| Ukuran memori: | 4Gb (256M x 16) |
| Antarmuka Memori: | Parallel |
| Format Memori: | DRAM |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detil Deskripsi: | SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-BGA |
| Frekuensi Jam: | 1.2GHz |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IS43QR16256A-083RBLI
Latest Berita
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh