IPP100N06S3L-04 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPP100N06S3L-04, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPP100N06S3L-04 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPP100N06S3L-04 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IPP100N06S3L-04
- Nomor bagian:
- IPP100N06S3L-04
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 54391 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IPP100N06S3L-04.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-TO220-3-1 |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 214W (Tc) |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | TO-220-3 |
| Nama lain: | IPP100N06S3L-04-ND IPP100N06S3L-04IN IPP100N06S3L04X IPP100N06S3L04XK SP000102209 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 17270pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 362nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 5V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 55V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IPP100N06S3L-04
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar
- Di bawah outlet AI Air, dua raksasa chip utama "tidak kuat": menghancurkan uang untuk memecahkan permainan, bertaruh pada 2025 pertempuran tim