IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1
Nomor bagian:
IPB60R190C6ATMA1
Pabrikan:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
48204 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
IPB60R190C6ATMA1.pdf

pengantar

IPB60R190C6ATMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB60R190C6ATMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB60R190C6ATMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB60R190C6ATMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 630µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:D²PAK (TO-263AB)
Seri:CoolMOS™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 9.5A, 10V
Power Disipasi (Max):151W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nama lain:IPB60R190C6
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6INTR-ND
SP000641916
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar