IPB100N06S205ATMA4 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB100N06S205ATMA4, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB100N06S205ATMA4 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB100N06S205ATMA4 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IPB100N06S205ATMA4
- Nomor bagian:
- IPB100N06S205ATMA4
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 34920 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IPB100N06S205ATMA4.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-TO263-3-2 |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 300W (Tc) |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Nama lain: | IPB100N06S205ATMA4-ND IPB100N06S205ATMA4TR SP001067896 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 5110pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 55V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IPB100N06S205ATMA4
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar
- Di bawah outlet AI Air, dua raksasa chip utama "tidak kuat": menghancurkan uang untuk memecahkan permainan, bertaruh pada 2025 pertempuran tim