IPB019N08N3GATMA1
IPB019N08N3GATMA1
Nomor bagian:
IPB019N08N3GATMA1
Pabrikan:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
23598 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
IPB019N08N3GATMA1.pdf

pengantar

IPB019N08N3GATMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB019N08N3GATMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB019N08N3GATMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB019N08N3GATMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:PG-TO263-7
Seri:OptiMOS™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:1.9 mOhm @ 100A, 10V
Power Disipasi (Max):300W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Nama lain:IPB019N08N3 G
IPB019N08N3 G-ND
IPB019N08N3 GTR-ND
IPB019N08N3G
IPB019N08N3GATMA1TR
Q4136793
SP000444110
Suhu Operasional:-55°C ~ 175°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:14200pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:206nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):6V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):80V
Detil Deskripsi:N-Channel 80V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar