Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
Nomor bagian:
EPC2025ENGR
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
38695 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
EPC2025ENGR.pdf
Penyelidikan

pengantar

EPC2025ENGR tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk EPC2025ENGR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk EPC2025ENGR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli EPC2025ENGR dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Paket Perangkat pemasok:Die Outline (12-Solder Bar)
Seri:eGaN®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Power Disipasi (Max):-
Pengemasan:Tray
Paket / Case:Die
Nama lain:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:194pF @ 240V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.85nC @ 5V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):5V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):300V
Detil Deskripsi:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2025ENGR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Penyelidikan
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Penyelidikan
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Penyelidikan
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita