CDR03BX223BMZRAT tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk CDR03BX223BMZRAT, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk CDR03BX223BMZRAT melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli CDR03BX223BMZRAT dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
CDR03BX223BMZRAT
- Nomor bagian:
- CDR03BX223BMZRAT
- Pabrikan:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Deskripsi:
- CAP CER 0.022UF 100V 20% BX 1808
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 54488 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- CDR03BX223BMZRAT.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Nilai: | 100V |
| Toleransi: | ±20% |
| Tebal (Max): | 0.080" (2.03mm) |
| Koefisien suhu: | BX |
| Ukuran / Dimensi: | 0.180" L x 0.080" W (4.57mm x 2.03mm) |
| Seri: | Military, MIL-PRF-55681, CDR03 |
| penilaian: | - |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 1808 (4520 Metric) |
| Nama lain: | CDR03BX223BMZRAT-MIL |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 125°C |
| mount Jenis: | Surface Mount, MLCC |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gaya memimpin: | - |
| memimpin Spasi: | - |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tinggi - Duduk (Max): | - |
| fitur: | - |
| Tingkat kegagalan: | R (0.01%) |
| Detil Deskripsi: | 0.022µF ±20% 100V Ceramic Capacitor BX 1808 (4520 Metric) |
| kapasitansi: | 0.022µF |
| Aplikasi: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk CDR03BX223BMZRAT
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?