AS4C512M8D3B-12BINTR tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk AS4C512M8D3B-12BINTR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk AS4C512M8D3B-12BINTR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli AS4C512M8D3B-12BINTR dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
AS4C512M8D3B-12BINTR
- Nomor bagian:
- AS4C512M8D3B-12BINTR
- Pabrikan:
- Alliance Memory, Inc.
- Deskripsi:
- IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 59805 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- AS4C512M8D3B-12BINTR.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman: | 15ns |
| Tegangan - Pasokan: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Teknologi: | SDRAM - DDR3 |
| Paket Perangkat pemasok: | 78-FBGA (10.5x9) |
| Seri: | - |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 78-VFBGA |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| memory Type: | Volatile |
| Ukuran memori: | 4Gb (512M x 8) |
| Antarmuka Memori: | Parallel |
| Format Memori: | DRAM |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detil Deskripsi: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9) |
| Frekuensi Jam: | 800MHz |
| Waktu akses: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk AS4C512M8D3B-12BINTR
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS