71V65603S133PFGI8 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk 71V65603S133PFGI8, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk 71V65603S133PFGI8 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli 71V65603S133PFGI8 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
71V65603S133PFGI8
- Nomor bagian:
- 71V65603S133PFGI8
- Pabrikan:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Deskripsi:
- IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 45407 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- 71V65603S133PFGI8.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman: | - |
| Tegangan - Pasokan: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Teknologi: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Paket Perangkat pemasok: | 100-TQFP |
| Seri: | - |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 100-LQFP |
| Nama lain: | IDT71V65603S133PFGI8 IDT71V65603S133PFGI8-ND |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| memory Type: | Volatile |
| Ukuran memori: | 9Mb (256K x 36) |
| Antarmuka Memori: | Parallel |
| Format Memori: | SRAM |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detil Deskripsi: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 100-TQFP |
| Frekuensi Jam: | 133MHz |
| Nomor Bagian Dasar: | IDT71V65603 |
| Waktu akses: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk 71V65603S133PFGI8
Latest Berita
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar