2SJ01640RA tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk 2SJ01640RA, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk 2SJ01640RA melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli 2SJ01640RA dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
2SJ01640RA
- Nomor bagian:
- 2SJ01640RA
- Pabrikan:
- Panasonic
- Deskripsi:
- JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 49818 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- 2SJ01640RA.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - cutoff (VGS off) @ Id: | 1.5V @ 10µA |
| Paket Perangkat pemasok: | NS-A1 |
| Seri: | - |
| Resistance - RDS (On): | 300 Ohms |
| Listrik - Max: | 300mW |
| Pengemasan: | Tape & Box (TB) |
| Paket / Case: | 3-SSIP |
| Nama lain: | 2SJ01640RATB |
| Suhu Operasional: | 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 10pF @ 10V |
| FET Jenis: | P-Channel |
| Detil Deskripsi: | JFET P-Channel 20mA 300mW Through Hole NS-A1 |
| Tiriskan saat ini (Id) - Max: | 20mA |
| Saat ini - Tiriskan (IDSS) @ VDS (Vgs = 0): | 600µA @ 10V |
| Nomor Bagian Dasar: | 2SJ0164 |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk 2SJ01640RA
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS