1N4004B-G tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk 1N4004B-G, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk 1N4004B-G melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli 1N4004B-G dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
1N4004B-G
- Nomor bagian:
- 1N4004B-G
- Pabrikan:
- Comchip Technology
- Deskripsi:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 45920 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- 1N4004B-G.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Puncak terbalik (Max): | Standard |
| Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika: | 1A |
| Tegangan - Breakdown: | DO-41 |
| Seri: | - |
| Status RoHS: | Bulk |
| Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistance @ Jika, F: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Polarisasi: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Nomor Bagian Produsen: | 1N4004B-G |
| Deskripsi yang Diperluas: | Diode Standard 400V 1A Through Hole DO-41 |
| Konfigurasi diode: | 5µA @ 400V |
| Deskripsi: | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 |
| Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr: | 1.1V @ 1A |
| Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode): | 400V |
| Kapasitansi @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk 1N4004B-G
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS