Az Y079856K0000F0W most elérhető!Az LYNTEAM technológia az Y079856K0000F0W állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetY079856K0000F0We-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon Y079856K0000F0W LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
Y079856K0000F0W
- Cikkszám:
- Y079856K0000F0W
- Gyártó:
- Vishay Precision Group
- Leírás:
- RES SMD 56K OHM 1% 1/10W 2010
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 50622 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- Y079856K0000F0W.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | ±1% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±3ppm/°C |
| Szállító eszközcsomag: | 2010 |
| Méret / dimenzió: | 0.200" L x 0.100" W (5.08mm x 2.54mm) |
| Sorozat: | HTHG |
| Ellenállás: | 56 kOhms |
| Teljesítmény (Watt): | 0.1W, 1/10W |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | 2010 (5025 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 220°C |
| Megszámolások száma: | 2 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 21 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.023" (0.58mm) |
| Jellemzők: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 56 kOhms ±1% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| Összetétel: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az Y079856K0000F0W-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos