Az XRCGB25M000F3A00R0 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az XRCGB25M000F3A00R0 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetXRCGB25M000F3A00R0e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon XRCGB25M000F3A00R0 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
XRCGB25M000F3A00R0
- Cikkszám:
- XRCGB25M000F3A00R0
- Gyártó:
- Murata Electronics
- Leírás:
- CRYSTAL 25.0000MHZ 6PF SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 49249 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- XRCGB25M000F3A00R0.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | MHz Crystal |
| Méret / dimenzió: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Sorozat: | XRCGB |
| Értékelések: | AEC-Q200 |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 4-SMD, No Lead |
| Más nevek: | 490-12146-2 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Üzemmód: | Fundamental |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 11 Weeks |
| Kapacitás terhelés: | 6pF |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.028" (0.70mm) |
| Frekvenciatűrés: | ±35ppm |
| Frekvencia-stabilitás: | ±100ppm |
| Frekvencia: | 25MHz |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 100 Ohms |
| Részletes leírás: | 25MHz ±35ppm Crystal 6pF 100 Ohms 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az XRCGB25M000F3A00R0-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos