Az XB3550-2R5307-R most elérhető!Az LYNTEAM technológia az XB3550-2R5307-R állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetXB3550-2R5307-Re-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon XB3550-2R5307-R LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
XB3550-2R5307-R
- Cikkszám:
- XB3550-2R5307-R
- Gyártó:
- Bussmann (Eaton)
- Leírás:
- CAP 300F 10% 2.5V THROUGH HOLE
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 41595 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- XB3550-2R5307-R.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 2.5V |
| Tolerancia: | ±10% |
| befejezés: | PC Pins |
| Méret / dimenzió: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| Sorozat: | PowerStor XB |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Can - Snap-In |
| Más nevek: | 283-4175 XB35502R5307R |
| Üzemi hőmérséklet: | -25°C ~ 70°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Élettartam @ Hőm.: | 1500 Hrs @ 70°C |
| Ólomtartomány: | 0.886" (22.50mm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 2.126" (54.00mm) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 7 mOhm |
| Részletes leírás: | 300F (EDLC) Supercapacitor 2.5V Radial, Can - Snap-In 7 mOhm 1500 Hrs @ 70°C |
| Kapacitancia: | 300F |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az XB3550-2R5307-R-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos