Az VS-MURD620CTTRHM3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az VS-MURD620CTTRHM3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetVS-MURD620CTTRHM3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon VS-MURD620CTTRHM3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
VS-MURD620CTTRHM3
- Cikkszám:
- VS-MURD620CTTRHM3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- DIODE STANDARD 200V 3A DPAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 21431 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- VS-MURD620CTTRHM3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1V @ 3A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 200V |
| Szállító eszközcsomag: | TO-252AA |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 35ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | VSMURD620CTTRHM3 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -65°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 45 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Dióda konfiguráció: | 1 Pair Common Cathode |
| Részletes leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 5µA @ 200V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 3A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VS-MURD620CTTRHM3-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be