Az VS-90SQ030TR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az VS-90SQ030TR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetVS-90SQ030TRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon VS-90SQ030TR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
VS-90SQ030TR
- Cikkszám:
- VS-90SQ030TR
- Gyártó:
- Leírás:
- DIODE SCHOTTKY 30V 9A DO204AR
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 55234 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- VS-90SQ030TR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 9A |
| Feszültségelosztás: | DO-204AR |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Ellenállás @ If, F: | - |
| Polarizáció: | DO-204AR, Axial |
| Más nevek: | 90SQ030TR 90SQ030TR-ND |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | VS-90SQ030TR |
| Bővített leírás: | Diode Schottky 30V 9A Through Hole DO-204AR |
| Dióda konfiguráció: | 1.75mA @ 30V |
| Leírás: | DIODE SCHOTTKY 30V 9A DO204AR |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 480mV @ 9A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 30V |
| Capacitance @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VS-90SQ030TR-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be