Az VS-12CWQ04FN-M3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az VS-12CWQ04FN-M3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetVS-12CWQ04FN-M3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon VS-12CWQ04FN-M3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
VS-12CWQ04FN-M3
- Cikkszám:
- VS-12CWQ04FN-M3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V DPAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 56138 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- VS-12CWQ04FN-M3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 530mV @ 6A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 40V |
| Szállító eszközcsomag: | D-PAK (TO-252AA) |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | VS-12CWQ04FN-M3GI |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 36 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Schottky |
| Dióda konfiguráció: | 1 Pair Common Cathode |
| Részletes leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 3mA @ 40V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 6A |
| Alap rész száma: | 12CWQ04 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VS-12CWQ04FN-M3-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára