Az VLS252012ET-6R8M most elérhető!Az LYNTEAM technológia az VLS252012ET-6R8M állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetVLS252012ET-6R8Me-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon VLS252012ET-6R8M LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
VLS252012ET-6R8M
- Cikkszám:
- VLS252012ET-6R8M
- Gyártó:
- TDK Corporation
- Leírás:
- FIXED IND 6.8UH 650MA 612 MOHM
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 39809 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- VLS252012ET-6R8M.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | 1008 (2520 Metric) |
| Méret / dimenzió: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | VLS |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | 1008 (2520 Metric) |
| Más nevek: | 445-6641-6 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | Ferrite |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 1MHz |
| induktivitás: | 6.8µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | - |
| Részletes leírás: | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 650mA 612 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC ellenállás (DCR): | 612 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 650mA |
| Aktuális - telítettség: | 850mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VLS252012ET-6R8M-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében