Az VLS2012ET-3R3M most elérhető!Az LYNTEAM technológia az VLS2012ET-3R3M állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetVLS2012ET-3R3Me-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon VLS2012ET-3R3M LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
VLS2012ET-3R3M
- Cikkszám:
- VLS2012ET-3R3M
- Gyártó:
- TDK Corporation
- Leírás:
- FIXED IND 3.3UH 840MA 228 MOHM
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 35885 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- VLS2012ET-3R3M.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | - |
| Méret / dimenzió: | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | VLS |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | Nonstandard |
| Más nevek: | 445-6603-2 VLS2012ET3R3M |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 1MHz |
| induktivitás: | 3.3µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | - |
| Részletes leírás: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 840mA 228 mOhm Max Nonstandard |
| DC ellenállás (DCR): | 228 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 840mA |
| Aktuális - telítettség: | 840mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VLS2012ET-3R3M-hoz
Latest News
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet