Az VLP4610T-1R8M1R0 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az VLP4610T-1R8M1R0 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetVLP4610T-1R8M1R0e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon VLP4610T-1R8M1R0 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
VLP4610T-1R8M1R0
- Cikkszám:
- VLP4610T-1R8M1R0
- Gyártó:
- TDK Corporation
- Leírás:
- FIXED IND 1.8UH 1.36A 140MOHM SM
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 38716 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- VLP4610T-1R8M1R0.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | - |
| Méret / dimenzió: | 0.181" L x 0.118" W (4.60mm x 3.00mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | VLP |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | - |
| Csomagolás / tok: | Nonstandard |
| Üzemi hőmérséklet: | - |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 100kHz |
| induktivitás: | 1.8µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | - |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.36A 140 mOhm Max Nonstandard |
| DC ellenállás (DCR): | 140 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 1.36A |
| Aktuális - telítettség: | 1.09A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VLP4610T-1R8M1R0-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos