Az UFT20120A most elérhető!Az LYNTEAM technológia az UFT20120A állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetUFT20120Ae-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon UFT20120A LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
UFT20120A
- Cikkszám:
- UFT20120A
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- DIODE MODULE 200V 100A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 44103 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- UFT20120A.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.25V @ 100A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 200V |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 70ns |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Szerelési típus: | Screw Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Dióda konfiguráció: | 1 Pair Common Anode |
| Részletes leírás: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 100A Screw Mount Module |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 50µA @ 200V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 100A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az UFT20120A-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára