Az TXB0101DRLT most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TXB0101DRLT állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTXB0101DRLTe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TXB0101DRLT LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TXB0101DRLT
- Cikkszám:
- TXB0101DRLT
- Gyártó:
- TI
- Leírás:
- IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6SOT
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 37323 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TXB0101DRLT.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - VCCB: | 1.65V ~ 5.5V |
| Feszültség - VCCA: | 1.2V ~ 3.6V |
| Fordító típusa: | Voltage Level |
| Szállító eszközcsomag: | 6-SOT |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SOT-563, SOT-666 |
| Kimeneti típus: | Tri-State, Non-Inverted |
| Kimeneti jel: | - |
| Más nevek: | 296-32600-2 TXB0101DRLT-ND TXB0101DRLTG4 TXB0101DRLTG4-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Az áramkörök száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti jel: | - |
| Jellemzők: | Auto-Direction Sensing |
| Részletes leírás: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 1 Channel 100Mbps 6-SOT |
| Adatsebesség: | 100Mbps |
| Csatornák egy áramkörönként: | 1 |
| Csatorna típus: | Bidirectional |
| Alap rész száma: | TXB0101 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TXB0101DRLT-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos