Az TUM5J3K9E most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TUM5J3K9E állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTUM5J3K9Ee-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TUM5J3K9E LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TUM5J3K9E
- Cikkszám:
- TUM5J3K9E
- Gyártó:
- Ohmite
- Leírás:
- RES 3.9K OHM 5W 5% AXIAL
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46605 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TUM5J3K9E.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | ±5% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±350ppm/°C |
| Szállító eszközcsomag: | Axial |
| Méret / dimenzió: | 0.394" x 0.354" Rectangular x 0.866" L (10.00mm x 9.00mm x 22.00mm) |
| Sorozat: | TUM |
| Ellenállás: | 3.9 kOhms |
| Teljesítmény (Watt): | 5W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Axial |
| Más nevek: | OHTUM5J3K9E OHTUM5J3K9E-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | - |
| Megszámolások száma: | 2 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Jellemzők: | Flame Proof, Safety |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 3.9 kOhms ±5% 5W Through Hole Resistor Axial Flame Proof, Safety Metal Oxide Film |
| Összetétel: | Metal Oxide Film |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TUM5J3K9E-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
TUM7J10KE | Ohmite | RES 10K OHM 7W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J10KE | Ohmite | RES 10K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J1K5E | Ohmite | RES 1.5K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J2K7E | Ohmite | RES 2.7K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM7J2K0E | Ohmite | RES 2K OHM 7W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM7J1K0E | Ohmite | RES 1K OHM 7W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J5K6E | Ohmite | RES 5.6K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J330E | Ohmite | RES 330 OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J300E | Ohmite | RES 300 OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J820E | Ohmite | RES 820 OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J1K0E | Ohmite | RES 1K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J3K3E | Ohmite | RES 3.3K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J270E | Ohmite | RES 270 OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J7K5E | Ohmite | RES 7.5K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J3K0E | Ohmite | RES 3K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J6K8E | Ohmite | RES 6.8K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J2K0E | Ohmite | RES 2K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J4K7E | Ohmite | RES 4.7K OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J470E | Ohmite | RES 470 OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
|
TUM5J560E | Ohmite | RES 560 OHM 5W 5% AXIAL | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében