Az TSM650P03CX RFG most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TSM650P03CX RFG állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTSM650P03CX RFGe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TSM650P03CX RFG LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TSM650P03CX RFG
- Cikkszám:
- TSM650P03CX RFG
- Gyártó:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Leírás:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 22554 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TSM650P03CX RFG.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 4A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.56W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | TSM650P03CX RFGTR TSM650P03CX RFGTR-ND TSM650P03CXRFGTR |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 40 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 810pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 4.5V |
| FET típus: | P-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Részletes leírás: | P-Channel 30V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TSM650P03CX RFG-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében