Az TPH12008NH,L1Q most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TPH12008NH,L1Q állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTPH12008NH,L1Qe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TPH12008NH,L1Q LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TPH12008NH,L1Q
- Cikkszám:
- TPH12008NH,L1Q
- Leírás:
- MOSFET N CH 80V 24A SOP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 52727 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TPH12008NH,L1Q.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 300µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Sorozat: | U-MOSVIII-H |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 12A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.6W (Ta), 48W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerVDFN |
| Más nevek: | TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NHL1Q TPH12008NHL1QTR |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 40V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
| Részletes leírás: | N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TPH12008NH,L1Q-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében