Az TIP110G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TIP110G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTIP110Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TIP110G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TIP110G
- Cikkszám:
- TIP110G
- Leírás:
- TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 41640 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TIP110G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 2.5V @ 8mA, 2A |
| Tranzisztor típusú: | NPN - Darlington |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220AB |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 2W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | TIP110GOS |
| Üzemi hőmérséklet: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 2 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | - |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 2A 2W Through Hole TO-220AB |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 1A, 4V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 2mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 2A |
| Alap rész száma: | TIP11* |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TIP110G-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be