Az TC58BVG2S0HBAI4 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TC58BVG2S0HBAI4 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTC58BVG2S0HBAI4e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TC58BVG2S0HBAI4 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TC58BVG2S0HBAI4
- Cikkszám:
- TC58BVG2S0HBAI4
- Gyártó:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Leírás:
- IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46860 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TC58BVG2S0HBAI4.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | 25ns |
| Feszültségellátás: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technológia: | FLASH - NAND (SLC) |
| Szállító eszközcsomag: | 63-TFBGA (9x11) |
| Sorozat: | Benand™ |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | 63-VFBGA |
| Más nevek: | ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Memória típusa: | Non-Volatile |
| Memória mérete: | 4Gb (512M x 8) |
| Memória interfész: | Parallel |
| Memória formátum: | FLASH |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11) |
| Hozzáférési idő: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TC58BVG2S0HBAI4-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében