Az T73S5D15-12 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az T73S5D15-12 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetT73S5D15-12e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon T73S5D15-12 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
T73S5D15-12
- Cikkszám:
- T73S5D15-12
- Leírás:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 40104 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Kapcsolja be a feszültséget (Max): | 7.8 VDC |
| Kapcsolja ki a feszültséget (perc): | 0.6 VDC |
| Kiválasztási stílus: | PC Pin |
| Kapcsolási feszültség: | 120VAC, 28VDC - Max |
| Sorozat: | T73 |
| Kiadási idő: | 5ms |
| Relé típus: | General Purpose |
| Csomagolás: | Tube |
| Más nevek: | 3-1393197-2 PB365 |
| Üzemi hőmérséklet: | -30°C ~ 80°C |
| Működési idő: | 10ms |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Jellemzők: | Insulation - Class F, Sealed - Fully |
| Részletes leírás: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Through Hole |
| Kapcsolatérték (Aktuális): | 10A |
| Érintkezési anyag: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Kapcsolatfelvételi űrlap: | SPDT (1 Form C) |
| Tekercsfeszültség: | 12VDC |
| Tekercs típusa: | Non Latching |
| Tekercsellenállás: | 320 Ohms |
| Tekercs teljesítmény: | 450 mW |
| Tekercs áram: | 37.5mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az T73S5D15-12-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos