Az T58W9476M6R3C0200 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az T58W9476M6R3C0200 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetT58W9476M6R3C0200e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon T58W9476M6R3C0200 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
T58W9476M6R3C0200
- Cikkszám:
- T58W9476M6R3C0200
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- CAP TANT POLY 47UF 6.3V SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 40318 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- T58W9476M6R3C0200.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 6.3V |
| típus: | Molded |
| Tolerancia: | ±20% |
| Méret / dimenzió: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Sorozat: | vPolyTan™ T58 |
| Értékelések: | - |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | 0805 (2012 Metric) |
| Más nevek: | 718-2118-1 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Gyártói méretkód: | W9 |
| Élettartam @ Hőm.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| Ólomtartomány: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| Jellemzők: | General Purpose |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 200 mOhm |
| Részletes leírás: | 47µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 6.3V 0805 (2012 Metric) 200 mOhm |
| Kapacitancia: | 47µF |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az T58W9476M6R3C0200-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be