Az STG4158BJR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az STG4158BJR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSTG4158BJRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon STG4158BJR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
STG4158BJR
- Cikkszám:
- STG4158BJR
- Gyártó:
- STMicroelectronics
- Leírás:
- IC SWITCH SPDT 6FLIPCHIP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 26553 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- STG4158BJR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás, Single (V +): | 1.65 V ~ 4.5 V |
| Feszültségellátás, kettős (V ±): | - |
| Kapcsolási idő (tonna, toff) (Max): | 28ns, 13ns |
| Kapcsoló áramkör: | SPDT |
| Szállító eszközcsomag: | 6-FlipChip (1.23x0.83) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-WFBGA, FCBGA |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Helyzetellenállás (Max): | 600 mOhm (Typ) |
| Az áramkörök száma: | 1 |
| Multiplexer / demultiplexer áramkör: | 2:1 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | 1 Circuit IC Switch 2:1 600 mOhm (Typ) 6-FlipChip (1.23x0.83) |
| Áram - Szivárgás (IS (kikapcsolva)) (Max): | 30nA |
| Áthallás: | -61dB @ 1MHz |
| Töltés befecskendezés: | 230pC |
| Csatorna-csatornás illesztés (ΔRon): | 10 mOhm |
| Csatorna kapacitás (CS (kikapcsolva), CD (kikapcsolva)): | 30pF |
| Alap rész száma: | STG4158 |
| -3db sávszélesség: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az STG4158BJR-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára