Az SIP32409DNP-T1-GE4 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SIP32409DNP-T1-GE4 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSIP32409DNP-T1-GE4e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SIP32409DNP-T1-GE4 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SIP32409DNP-T1-GE4
- Cikkszám:
- SIP32409DNP-T1-GE4
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- IC LOAD SWITCH 4TDFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 36996 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SIP32409DNP-T1-GE4.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Feszültség - terhelés: | 1.1 V ~ 5.5 V |
| Kapcsolótípus: | General Purpose |
| Szállító eszközcsomag: | 4-TDFN (1.2x1.6) |
| Sorozat: | - |
| Rds On (Typ): | 44 mOhm |
| Arány - bemenet: kimenet: | 1:1 |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | 4-UFDFN Exposed Pad |
| Kimeneti típus: | N-Channel |
| Kimeneti konfiguráció: | High Side |
| Más nevek: | SIP32409DNP-T1-GE4CT |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Kimenetek száma: | 1 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 14 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Felület: | On/Off |
| Bemeneti típus: | Non-Inverting |
| Jellemzők: | Load Discharge, Slew Rate Controlled |
| Hibavédelem: | Reverse Current |
| Áram - kimenet (max.): | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIP32409DNP-T1-GE4-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos