Az SIHB22N65E-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SIHB22N65E-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSIHB22N65E-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SIHB22N65E-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SIHB22N65E-GE3
- Cikkszám:
- SIHB22N65E-GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59252 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SIHB22N65E-GE3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 2415pF @ 100V |
| Feszültségelosztás: | D2PAK |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 22A (Tc) |
| Polarizáció: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | SIHB22N65E-GE3TR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 19 Weeks |
| Gyártási szám: | SIHB22N65E-GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 110nC @ 10V |
| IGBT típus: | ±30V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET funkció: | N-Channel |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | - |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| Kapacitásarány: | 227W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIHB22N65E-GE3-hoz
Latest News
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint