Az SI8221DC-D-ISR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI8221DC-D-ISR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI8221DC-D-ISRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI8221DC-D-ISR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SI8221DC-D-ISR
- Cikkszám:
- SI8221DC-D-ISR
- Gyártó:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Leírás:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 25135 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SI8221DC-D-ISR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 14.8 V ~ 24 V |
| Feszültség - Izolálás: | 3750Vrms |
| Feszültség - Forward (Vf) (Typ): | 2.5V (Max) |
| Technológia: | Capacitive Coupling |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rise / Fall Time (Typ): | 30ns, 30ns (Max) |
| Pulzus szélesség torzítás (max.): | - |
| Szaporítási késleltetés tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 40ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Csatornák száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | 500mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| Aktuális - csúcskimenet: | 500mA |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | 300mA, 500mA |
| Áram - DC Forward (Ha) (Max): | 30mA |
| Közös módú tranziens immunitás (Min): | 30kV/µs (Typ) |
| Engedélyek: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI8221DC-D-ISR-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében