Az SI5511DC-T1-E3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI5511DC-T1-E3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI5511DC-T1-E3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI5511DC-T1-E3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SI5511DC-T1-E3
- Cikkszám:
- SI5511DC-T1-E3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 52355 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SI5511DC-T1-E3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Szállító eszközcsomag: | 1206-8 ChipFET™ |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 3.1W, 2.6W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SMD, Flat Lead |
| Más nevek: | SI5511DC-T1-E3TR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 435pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.1nC @ 5V |
| FET típus: | N and P-Channel |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4A, 3.6A |
| Alap rész száma: | SI5511 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI5511DC-T1-E3-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára