Az SBRT20U50SLP-13 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SBRT20U50SLP-13 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSBRT20U50SLP-13e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SBRT20U50SLP-13 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SBRT20U50SLP-13
- Cikkszám:
- SBRT20U50SLP-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- DIODE SBR 50V 20A POWERDI5060-8
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS megfelel
- Készlet mennyiség:
- 30274 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SBRT20U50SLP-13.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 500mV @ 20A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 50V |
| Szállító eszközcsomag: | PowerDI5060-8 |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | TrenchSBR |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
| Más nevek: | SBRT20U50SLP-13DIDKR |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 20 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Super Barrier |
| Részletes leírás: | Diode Super Barrier 50V 20A Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 500µA @ 50V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 20A |
| Capacitance @ Vr, F: | 350pF @ 50V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SBRT20U50SLP-13-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos