Az PTFA191001EV4XWSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az PTFA191001EV4XWSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetPTFA191001EV4XWSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon PTFA191001EV4XWSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
PTFA191001EV4XWSA1
- Cikkszám:
- PTFA191001EV4XWSA1
- Leírás:
- IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 54331 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- PTFA191001EV4XWSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 30V |
| Feszültség - névleges: | 65V |
| Tranzisztor típusú: | LDMOS |
| Szállító eszközcsomag: | H-36248-2 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 44dBm |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Más nevek: | PTFA191001E V4 PTFA191001E V4-ND SP000317910 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Nyereség: | 17dB |
| Frekvencia: | 1.96GHz |
| Részletes leírás: | RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 1.96GHz 17dB 44dBm H-36248-2 |
| Jelenlegi értékelés: | 10µA |
| Jelenlegi - teszt: | 900mA |
| Alap rész száma: | PTFA191001 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az PTFA191001EV4XWSA1-hoz
Latest News
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet