Az PDZ6.8B,115 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az PDZ6.8B,115 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetPDZ6.8B,115e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon PDZ6.8B,115 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
PDZ6.8B,115
- Cikkszám:
- PDZ6.8B,115
- Gyártó:
- Nexperia
- Leírás:
- DIODE ZENER 6.8V 400MW SOD323
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 54249 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- PDZ6.8B,115.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Zener (Nom) (Vz): | 6.8V |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.1V @ 100mA |
| Tolerancia: | ±2% |
| Szállító eszközcsomag: | SOD-323 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 400mW |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | SC-76, SOD-323 |
| Más nevek: | 1727-5156-1 568-6455-1 568-6455-1-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancia (Max) (Zzt): | 40 Ohms |
| Részletes leírás: | Zener Diode 6.8V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 500nA @ 3.5V |
| Alap rész száma: | PDZ6V8 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az PDZ6.8B,115-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PDZ6.2B/DG/B3,115 | Nexperia | DIODE ZENER 6.195V 400MW SOD323 | Vizsgálat |
 |
PDZ7.5BF | Nexperia | DIODE ZENER 7.6V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.2B,115 | Nexperia | DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.2BGWJ | Nexperia | PDZ6.2BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ7.5BGWJ | Nexperia | PDZ7.5BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ7.5B,115 | Nexperia | DIODE ZENER 7.5V 400MW SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ8.2B,115 | Nexperia | DIODE ZENER 8.2V 400MW SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.8BF | Nexperia | DIODE ZENER 6.93V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.2BZ | Nexperia | DIODE ZENER 6.33V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.8BZ | Nexperia | DIODE ZENER 6.93V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.2BGWX | Nexperia | PDZ6.2BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ5.6BGWX | Nexperia | PDZ5.6BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ6.2BF | Nexperia | DIODE ZENER 6.33V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ7.5BGWX | Nexperia | PDZ7.5BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ5.6BGWJ | Nexperia | PDZ5.6BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ6.8BGWX | Nexperia | PDZ6.8BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ5.6BF | Nexperia | DIODE ZENER 5.73V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ7.5BZ | Nexperia | DIODE ZENER 7.6V SOD323 | Vizsgálat |
|
PDZ6.8BGWJ | Nexperia | PDZ6.8BGWSOD123SOD2 | Vizsgálat |
|
PDZ5.6BZ | Nexperia | DIODE ZENER 5.73V SOD323 | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében