Az NXH80T120L2Q0S2G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NXH80T120L2Q0S2G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNXH80T120L2Q0S2Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NXH80T120L2Q0S2G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NXH80T120L2Q0S2G
- Cikkszám:
- NXH80T120L2Q0S2G
- Leírás:
- PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 31785 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NXH80T120L2Q0S2G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.85V @ 15V, 80A |
| Szállító eszközcsomag: | 18-PIM/Q0PACK (55x32.5) |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 125W |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | NXH80T120L2Q0S1G NXH80T120L2Q0S1G-ND NXH80T120L2Q0S1GOS NXH80T120L2Q0S1GOS-ND NXH80T120L2Q0S2G-ND NXH80T120L2Q0S2GOS |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC termisztor: | Yes |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | Not Applicable |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 19.4nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Részletes leírás: | IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200V 57A 125W Chassis Mount 18-PIM/Q0PACK (55x32.5) |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 300µA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 57A |
| Configuration: | Three Level Inverter |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NXH80T120L2Q0S2G-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos