Az NVMFD5C470NWFT1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NVMFD5C470NWFT1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNVMFD5C470NWFT1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NVMFD5C470NWFT1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NVMFD5C470NWFT1G
- Cikkszám:
- NVMFD5C470NWFT1G
- Leírás:
- 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
- Készlet mennyiség:
- 51322 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NVMFD5C470NWFT1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
| Szállító eszközcsomag: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 11.7 mOhm @ 10A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 3.1W (Ta), 28W (Tc) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 50 Weeks |
| Ólommentes állapot: | Lead free |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Standard |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 40V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 11.7A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11.7A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NVMFD5C470NWFT1G-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be