Az NTMFD4901NFT1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NTMFD4901NFT1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNTMFD4901NFT1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NTMFD4901NFT1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NTMFD4901NFT1G
- Cikkszám:
- NTMFD4901NFT1G
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 31651 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NTMFD4901NFT1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Szállító eszközcsomag: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 1.1W, 1.2W |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
| Más nevek: | NTMFD4901NFT1GOSCT |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 46 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.7nC @ 4.5V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10.3A, 17.9A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTMFD4901NFT1G-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében