Az NTGD4167CT1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NTGD4167CT1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNTGD4167CT1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NTGD4167CT1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NTGD4167CT1G
- Cikkszám:
- NTGD4167CT1G
- Leírás:
- MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 53592 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NTGD4167CT1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 900mW |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Más nevek: | NTGD4167CT1GOSCT |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 30 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 295pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| FET típus: | N and P-Channel |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 2.6A, 1.9A |
| Alap rész száma: | NTGD4167C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTGD4167CT1G-hoz
Latest News
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult