Az NSS30100LT1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NSS30100LT1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNSS30100LT1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NSS30100LT1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NSS30100LT1G
- Cikkszám:
- NSS30100LT1G
- Leírás:
- TRANS PNP 30V 1A SOT-23
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 27736 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NSS30100LT1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 30V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 650mV @ 200mA, 2A |
| Tranzisztor típusú: | PNP |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 310mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | NSS30100LT1G-ND NSS30100LT1GOSTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 4 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 100MHz |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 500mA, 2V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 1A |
| Alap rész száma: | NSS30100 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NSS30100LT1G-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos