Az NLVVHC1GT126DF1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NLVVHC1GT126DF1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNLVVHC1GT126DF1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NLVVHC1GT126DF1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NLVVHC1GT126DF1G
- Cikkszám:
- NLVVHC1GT126DF1G
- Leírás:
- IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 56577 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NLVVHC1GT126DF1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 3 V ~ 5.5 V |
| Szállító eszközcsomag: | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q100 |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Kimeneti típus: | 3-State |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Elemek száma: | 1 |
| Az elemenkénti bitek száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logikai típus: | Buffer, Non-Inverting |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | - |
| Részletes leírás: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element 3-State Output SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | 8mA, 8mA |
| Alap rész száma: | 74VHC1G126 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NLVVHC1GT126DF1G-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be