Az MU1608-151Y most elérhető!Az LYNTEAM technológia az MU1608-151Y állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetMU1608-151Ye-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon MU1608-151Y LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
MU1608-151Y
- Cikkszám:
- MU1608-151Y
- Gyártó:
- Bourns, Inc.
- Leírás:
- FERRITE BEAD 150 OHM 0603 1LN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 55976 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- MU1608-151Y.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Méret / dimenzió: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Sorozat: | MU |
| Értékelések: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 0603 (1608 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Sorok száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancia @ Frekvencia: | 150 Ohms @ 100MHz |
| Magasság (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Szűrő típusa: | Power, Signal Line |
| DC ellenállás (DCR) (Max): | 250 mOhm |
| Áramlási érték (max.): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MU1608-151Y-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára