Az MOCD213R2M most elérhető!Az LYNTEAM technológia az MOCD213R2M állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetMOCD213R2Me-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon MOCD213R2M LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
MOCD213R2M
- Cikkszám:
- MOCD213R2M
- Leírás:
- OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 33063 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- MOCD213R2M.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - kimenet (max.): | 70V |
| Feszültség - Izolálás: | 2500Vrms |
| Feszültség - Forward (Vf) (Typ): | 1.25V |
| Vce telítettség (Max): | 400mV |
| Bekapcsolási / kikapcsolási idő (Typ): | 3µs, 2.8µs |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SO Tall |
| Sorozat: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | 1.6µs, 2.2µs |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Kimeneti típus: | Transistor |
| Más nevek: | MOCD213R2MCT |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 100°C |
| Csatornák száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | DC |
| Részletes leírás: | Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SO Tall |
| Aktuális átviteli arány (perc): | 100% @ 10mA |
| Aktuális átviteli arány (max.): | - |
| Áram - kimenet / csatorna: | 150mA |
| Áram - DC Forward (Ha) (Max): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MOCD213R2M-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára