Az MLZ2012N6R8LT000 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az MLZ2012N6R8LT000 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetMLZ2012N6R8LT000e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon MLZ2012N6R8LT000 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
MLZ2012N6R8LT000
- Cikkszám:
- MLZ2012N6R8LT000
- Gyártó:
- TDK Corporation
- Leírás:
- FIXED IND 6.8UH 550MA 250 MOHM
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 40651 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- MLZ2012N6R8LT000.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Multilayer |
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | 0805 (2012 Metric) |
| Méret / dimenzió: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | MLZ |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 0805 (2012 Metric) |
| Más nevek: | 445-6761-2 MLZ2012N6R8L |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | Ferrite |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 2MHz |
| induktivitás: | 6.8µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.057" (1.45mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | 60MHz |
| Részletes leírás: | 6.8µH Shielded Multilayer Inductor 550mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) |
| DC ellenállás (DCR): | 250 mOhm |
| Jelenlegi értékelés: | 550mA |
| Aktuális - telítettség: | 110mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MLZ2012N6R8LT000-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára